Toshiba лансира две моќни џамии од 80V N-канали

За уредите се вели дека се прилагодени на апликациите за напојување каде што операцијата со ниски загуби е важна, вклучително и конверзијата на AC-dc и dc-dc во центрите за податоци и базните станици за комуникација, како и опремата за мотори. 

И TPH2R408QM и TPN19008QM покажуваат намалување од околу 40% на отпорност на извор на мозоци (RDS (ON)) споредено со соодветните 80V производи во претходните процеси како што се U-MOSVIII-H, тврди Тошиба.

TPN19008QM има вредност RDS (ON) од 19mΩ (максимум) додека вредноста TPH2R408QM е 2,43mΩ.

Компанијата соопшти дека ја оптимизирала структурата на уредот, подобрувајќи ја размената помеѓу карактеристиките на RDS (ON) и наплатата на портата до 15% и размената помеѓу RDS (ON) и наплатата за излез за 31%.

Мосферите се сместени во пакувања со површинска монтажа и оценети за напон со извор на мозоци од 80V.

Тие работат на температурите на каналот до 175ºC.

TPN19008QM е оценет за струја на мозоци од 34A и е сместен во 3,3 × 3,3 mm TSON пакет додека TPH2R408QM е оценет за 120A и сместен во пакет 5x6mm SOP.